Mode Kerja Transistor: Difference between revisions

Created page with "Tidak seperti resistor, yang mempunyai hubungan tegak linear antara tegangan dan arus, transistor adalah perangkat non-linear. Transistor memiliki empat mode operasi yang ber..."
 
No edit summary
Line 4: Line 4:


Ada 4 mode operasi pada transistor, yaitu :
Ada 4 mode operasi pada transistor, yaitu :
*Saturasi : Kondisi dimana transistor bertindak sebagai short circuit, sehingga arus mengalir bebas dari kolektor ke emitor.
*Saturasi : Kondisi dimana transistor bertindak sebagai short circuit, sehingga arus mengalir bebas dari kolektor ke emitor.
*Cut-off : Kondisi dimana transistor bertindak sebagai Open circuit, sehingga tidak ada arus mengalir dari kolektor ke emitor.
*Cut-off : Kondisi dimana transistor bertindak sebagai Open circuit, sehingga tidak ada arus mengalir dari kolektor ke emitor.
*Active (Forward-Active) : Arus yang mengalir dari kolektor ke emitor sebanding dengan arus yang mengalir ke basis.
*Active (Forward-Active) : Arus yang mengalir dari kolektor ke emitor sebanding dengan arus yang mengalir ke basis.
*Reverse-Active : Seperti mode aktif, arus yang mengalir sebanding dengan arus basis, tetapi mengalir secara terbalik sehingga arus mengalir dari emitor ke kolektor
*Reverse-Active : Seperti mode aktif, arus yang mengalir sebanding dengan arus basis, tetapi mengalir secara terbalik sehingga arus mengalir dari emitor ke kolektor
Untuk menentukan transistor berada pada mode apa, kita perlu melihat tegangan pada masing-masing pin dimana saling berhubungan satu sama lain.
Untuk menentukan transistor berada pada mode apa, kita perlu melihat tegangan pada masing-masing pin dimana saling berhubungan satu sama lain.
Tegangan dari basis ke emitor (VBE), dan dari basis ke kolektor (VBC) mengatur mode transistor, perhatikan gambar dari hubungan tegangan pada pin transistor berikut
Tegangan dari basis ke emitor (VBE), dan dari basis ke kolektor (VBC) mengatur mode transistor, perhatikan gambar dari hubungan tegangan pada pin transistor berikut
[[File:Transistor26.png|border|center|309x309px]]
[[File:Transistor26.png|border|center|309x309px]]
Grafik kuadran yang disederhanakan di atas menunjukkan bagaimana tegangan positif dan negatif pada terminal-terminal tersebut memengaruhi mode transistor, meskipun pada kenyataannya mungkin kesulitan dalam mengingatnya.
Grafik kuadran yang disederhanakan di atas menunjukkan bagaimana tegangan positif dan negatif pada terminal-terminal tersebut memengaruhi mode transistor, meskipun pada kenyataannya mungkin kesulitan dalam mengingatnya.


Catatan: Halaman ini berfokus pada transistor NPN. Untuk memahami cara kerja transistor PNP, cukup balik polaritas dan tanda <code>></code> dan <code><</code>.
Catatan: Halaman ini berfokus pada transistor NPN. Untuk memahami cara kerja transistor PNP, cukup balik polaritas dan tanda <code>></code> dan <code><</code>.
==Transistor Mode Saturasi==
==Transistor Mode Saturasi==
Saturasi adalah mode aktif dari sebuah transistor sehingga transistor dalam mode saturasi bertindak seperti hubungan pendek (short circuit) antara kolektor dan emitor.
Saturasi adalah mode aktif dari sebuah transistor sehingga transistor dalam mode saturasi bertindak seperti hubungan pendek (short circuit) antara kolektor dan emitor.
[[File:Transistor27.png|border|center|257x257px]]
[[File:Transistor27.png|border|center|257x257px]]
Dalam mode saturasi kedua "dioda" dalam transistor adalah bias maju. Itu berarti VBE harus lebih besar dari 0, dan begitu juga VBC. Dengan kata lain, VB harus lebih tinggi daripada VE dan VC.
Dalam mode saturasi kedua "dioda" dalam transistor adalah bias maju. Itu berarti VBE harus lebih besar dari 0, dan begitu juga VBC. Dengan kata lain, VB harus lebih tinggi daripada VE dan VC.
  VB > VC
  VB > VC
  VB > VE
  VB > VE
VBE harus lebih besar dari ambang tegangan untuk memasuki mode saturasi, ada banyak singkatan untuk jatuh tegangan ini contohnya seperti -Vth, Vγ, dan Vd dan variasi nilai aktual antara transistor (dan lebih jauh lagi berdasarkan suhu).
VBE harus lebih besar dari ambang tegangan untuk memasuki mode saturasi, ada banyak singkatan untuk jatuh tegangan ini contohnya seperti -Vth, Vγ, dan Vd dan variasi nilai aktual antara transistor (dan lebih jauh lagi berdasarkan suhu).


Line 29: Line 38:


Nilai ini biasanya sekitar 0,05-0,2V, nilai ini berarti VC harus sedikit lebih besar dari VE (tetapi keduanya masih kurang dari VB) agar didapatkan transistor dalam mode saturasi.
Nilai ini biasanya sekitar 0,05-0,2V, nilai ini berarti VC harus sedikit lebih besar dari VE (tetapi keduanya masih kurang dari VB) agar didapatkan transistor dalam mode saturasi.
==Transistor Mode Cutoff==
==Transistor Mode Cutoff==
Mode cutoff bisa dikatakan sebagai kebalikan dari mode saturasi, dimana transistor dalam mode cutoff mati artinya tidak ada arus kolektor sehingga juga tidak ada arus ke emitor. Transistor mode cuttoff ini hampir terlihat seperti sirkuit terbuka.
Mode cutoff bisa dikatakan sebagai kebalikan dari mode saturasi, dimana transistor dalam mode cutoff mati artinya tidak ada arus kolektor sehingga juga tidak ada arus ke emitor. Transistor mode cuttoff ini hampir terlihat seperti sirkuit terbuka.
[[File:Transistor28.png|border|center|294x294px]]
[[File:Transistor28.png|border|center|294x294px]]
Untuk membuat transistor dalam keadaan mode cutoff, tegangan basis harus lebih kecil dari tegangan emitor dan kolektor diaman VBC dan VBE keduanya harus negatif.
Untuk membuat transistor dalam keadaan mode cutoff, tegangan basis harus lebih kecil dari tegangan emitor dan kolektor diaman VBC dan VBE keduanya harus negatif.
  VC > VB
  VC > VB
  VE > VB
  VE > VB
Pada aplikasinya, VBE dapat berada di mana saja antara 0V dan Vth (~ 0,6V) untuk mencapai mode cutoff.
Pada aplikasinya, VBE dapat berada di mana saja antara 0V dan Vth (~ 0,6V) untuk mencapai mode cutoff.
==Transistor Mode Active / Forward Active==
==Transistor Mode Active / Forward Active==
Untuk beroperasi dalam mode aktif, VBE transistor harus lebih besar dari nol dan VBC harus negatif. Dengan demikian, tegangan pada basis harus lebih kecil daripada kolektor, tetapi lebih besar dari emitor, dengan kata lain kolektor harus lebih besar dari emitor.
Untuk beroperasi dalam mode aktif, VBE transistor harus lebih besar dari nol dan VBC harus negatif. Dengan demikian, tegangan pada basis harus lebih kecil daripada kolektor, tetapi lebih besar dari emitor, dengan kata lain kolektor harus lebih besar dari emitor.
  VC > VB > VE
  VC > VB > VE
Pada aplikasinya, kita membutuhkan jatuh tegangan maju non-zero/bukan nol (disingkat Vth, Vγ, atau Vd) dari basis ke emitor (VBE) untuk "menghidupkan" transistor, biasanya tegangan ini sekitar 0,6V.
Pada aplikasinya, kita membutuhkan jatuh tegangan maju non-zero/bukan nol (disingkat Vth, Vγ, atau Vd) dari basis ke emitor (VBE) untuk "menghidupkan" transistor, biasanya tegangan ini sekitar 0,6V.
===Penguatan Dalam Mode Aktif (Amplifying in Active Mode)===
===Penguatan Dalam Mode Aktif (Amplifying in Active Mode)===
Mode aktif adalah mode transistor yang paling kuat karena dapat mengubah suatu perangkat menjadi amplifier, diaman arus yang masuk ke pin basis menguatkan arus yang mengalir masuk ke kolektor dan mengeluarkannya ke emitor.
Mode aktif adalah mode transistor yang paling kuat karena dapat mengubah suatu perangkat menjadi amplifier, diaman arus yang masuk ke pin basis menguatkan arus yang mengalir masuk ke kolektor dan mengeluarkannya ke emitor.
Line 45: Line 61:
Notasi singkatan untuk gain (faktor amplifikasi) dari transistor adalah β (Kamu mungkin juga akan menemukanya dalam simbol lain seperti βF, atau hFE). β secara linear menghubungkan arus kolektor (IC) ke arus basis (IB):
Notasi singkatan untuk gain (faktor amplifikasi) dari transistor adalah β (Kamu mungkin juga akan menemukanya dalam simbol lain seperti βF, atau hFE). β secara linear menghubungkan arus kolektor (IC) ke arus basis (IB):
  IC = β IB
  IC = β IB
Nilai aktual dari β bervariasi tergantung transistornya, biasanya sekitar 100, tetapi ada juga yang berkisar antara 50 hingga 200 atau bahkan sampai 2000, semuanya tergantung pada transistor yang digunakan serta berapa banyak arus yang melewatinya.  
Nilai aktual dari β bervariasi tergantung transistornya, biasanya sekitar 100, tetapi ada juga yang berkisar antara 50 hingga 200 atau bahkan sampai 2000, semuanya tergantung pada transistor yang digunakan serta berapa banyak arus yang melewatinya.  


Misalnya jika transistor yang kamu miliki β 100, berarti arus input 1 mA ke basis dapat menghasilkan arus 100 mA melalui kolektor.
Misalnya jika transistor yang kamu miliki β 100, berarti arus input 1 mA ke basis dapat menghasilkan arus 100 mA melalui kolektor.
Berikut ini transitor mode aktif VBE = Vth, and IC = β IB.
Berikut ini transitor mode aktif VBE = Vth, and IC = β IB.
[[File:Transistor29.png|border|center|301x301px]]
[[File:Transistor29.png|border|center|301x301px]]


Bagaimana dengan arus emitor IE? Dalam mode aktif, arus kolektor dan basis masuk ke perangkat, dan IE keluar.
Bagaimana dengan arus emitor IE? Dalam mode aktif, arus kolektor dan basis masuk ke perangkat, dan IE keluar.


Untuk menghubungkan arus emitor ke arus kolektor, terdapat nilai konstan lain yaitu α. α adalah gain arus basis umum, yang menghubungkan arus-arus tersebut seperti: [[File:Transistor30.png|117x117px]]
Untuk menghubungkan arus emitor ke arus kolektor, terdapat nilai konstan lain yaitu α. α adalah gain arus basis umum, yang menghubungkan arus-arus tersebut seperti: [[File:Transistor30.png|117x117px]]


α biasanya hampir mendekati tetapi kurang dari 1. Itu berarti IC sangat dekat tetapi kurang dari IE dalam mode aktif, kamu bisa menggunakan β untuk menghitung α, atau sebaliknya:  [[File:Transistor31.png|145x145px]]
α biasanya hampir mendekati tetapi kurang dari 1. Itu berarti IC sangat dekat tetapi kurang dari IE dalam mode aktif, kamu bisa menggunakan β untuk menghitung α, atau sebaliknya:  [[File:Transistor31.png|145x145px]]


Misalnya β adalah 100 maka α adalah 0,99. Jadi, misalnya jika IC 100 mA maka IE adalah 101mA.
Misalnya β adalah 100 maka α adalah 0,99. Jadi, misalnya jika IC 100 mA maka IE adalah 101mA.


==Transistor Mode Reverse Acvite==
==Transistor Mode Reverse Acvite==